تُعد Samsung 9100 PRO (رقم الموديل MZ-VAP4T0BW) وحدة تخزين فائقة الأداء من الجيل الجديد، تعتمد على واجهة PCIe 5.0 NVMe لتقديم سرعات غير مسبوقة تلبي متطلبات الحواسيب الاحترافية، محطات العمل المتقدمة، الألعاب عالية المستوى، وصنّاع المحتوى. بفضل تقنيات سامسونج المتقدمة في المتحكم وذاكرة V-NAND، توفر هذه الوحدة أداءً ثابتًا، استجابة عالية، واعتمادية ممتازة مع سعة تخزين كبيرة تبلغ 4 تيرابايت ضمن تصميم M.2 مدمج.
المميزات الرئيسية:
• السعة: 4 تيرابايت
• الواجهة: PCIe 5.0 ×4 – NVMe
• الشكل: M.2 2280
• سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,800 ميجابايت/ثانية
• سرعة الكتابة التسلسلية: حتى ≈12,800 ميجابايت/ثانية
• أداء فائق للمهام الثقيلة والألعاب الاحترافية
• إدارة حرارية ذكية للحفاظ على الاستقرار
• دعم برنامج Samsung Magician للتحكم والمراقبة
المواصفات التقنية الكاملة:
التصميم والواجهة
رقم الموديل: MZ-VAP4T0BW
نوع وحدة التخزين: NVMe
الشكل: M.2 2280
واجهة الاتصال: PCIe 5.0 ×4
الأداء
سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,800 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية: حتى ≈12,800 ميجابايت/ثانية
الأداء العشوائي (IOPS): مرتفع ومهيأ للأحمال المكثفة وتعدد المهام
الذاكرة والمتحكم
نوع الذاكرة: Samsung 3D TLC V-NAND
المتحكم: متحكم سامسونج عالي الأداء مخصص للجيل الخامس PCIe
السعة والتحمل
السعة الإجمالية: 4 تيرابايت
التحمل (TBW): تصنيف عالٍ مناسب للاستخدام الاحترافي طويل الأمد
الطاقة والحرارة
استهلاك الطاقة: محسّن لفئة PCIe 5.0 عالية الأداء
إدارة الحرارة: Dynamic Thermal Guard مع حلول تبريد مدمجة
الميزات الإضافية
دعم SMART لمراقبة الحالة
دعم التشفير AES 256-bit
التوافق مع أنظمة Windows وLinux
دعم برنامج Samsung Magician لإدارة الأداء والتحديثات
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
- النوع : MZ-VAP4T0BW
تُعد Samsung 9100 PRO (رقم الموديل MZ-VAP4T0BW) وحدة تخزين فائقة الأداء من الجيل الجديد، تعتمد على واجهة PCIe 5.0 NVMe لتقديم سرعات غير مسبوقة تلبي متطلبات الحواسيب الاحترافية، محطات العمل المتقدمة، الألعاب عالية المستوى، وصنّاع المحتوى. بفضل تقنيات سامسونج المتقدمة في المتحكم وذاكرة V-NAND، توفر هذه الوحدة أداءً ثابتًا، استجابة عالية، واعتمادية ممتازة مع سعة تخزين كبيرة تبلغ 4 تيرابايت ضمن تصميم M.2 مدمج.
المميزات الرئيسية:
• السعة: 4 تيرابايت
• الواجهة: PCIe 5.0 ×4 – NVMe
• الشكل: M.2 2280
• سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,800 ميجابايت/ثانية
• سرعة الكتابة التسلسلية: حتى ≈12,800 ميجابايت/ثانية
• أداء فائق للمهام الثقيلة والألعاب الاحترافية
• إدارة حرارية ذكية للحفاظ على الاستقرار
• دعم برنامج Samsung Magician للتحكم والمراقبة
المواصفات التقنية الكاملة:
التصميم والواجهة
رقم الموديل: MZ-VAP4T0BW
نوع وحدة التخزين: NVMe
الشكل: M.2 2280
واجهة الاتصال: PCIe 5.0 ×4
الأداء
سرعة القراءة التسلسلية: حتى 14,800 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية: حتى ≈12,800 ميجابايت/ثانية
الأداء العشوائي (IOPS): مرتفع ومهيأ للأحمال المكثفة وتعدد المهام
الذاكرة والمتحكم
نوع الذاكرة: Samsung 3D TLC V-NAND
المتحكم: متحكم سامسونج عالي الأداء مخصص للجيل الخامس PCIe
السعة والتحمل
السعة الإجمالية: 4 تيرابايت
التحمل (TBW): تصنيف عالٍ مناسب للاستخدام الاحترافي طويل الأمد
الطاقة والحرارة
استهلاك الطاقة: محسّن لفئة PCIe 5.0 عالية الأداء
إدارة الحرارة: Dynamic Thermal Guard مع حلول تبريد مدمجة
الميزات الإضافية
دعم SMART لمراقبة الحالة
دعم التشفير AES 256-bit
التوافق مع أنظمة Windows وLinux
دعم برنامج Samsung Magician لإدارة الأداء والتحديثات
| Computers | |
|---|---|
| CPU | Intel |
| Cores | 6,4 |
| Memory | 8 Gb,4 Gb |
- الشركة: SAMSUNG
- تم عرضها: 245
- حالة التوفر : متوفر
S.R 10,871
الكلمات الدليليلة :MZ-VAP4T0BWوحدات التخزين
منتجات ذات صلة
New
ذاكرة لابتوب من SAMSUNG, سعة 8GB DDR5, تردد 5600MHz, جهد منخفض 1.1 فولت, متوافقة مع أجهزة اللابتوب الحديثة التي تدعم فتحات DDR5 SODIMM
S.R 1,309
تعد ذاكرة سامسونج DDR5 بسعة 8 جيجابايت وسرعة 5600MHz وحدة ذاكرة عالية الأداء مصممة لأجهزة اللابتوب ا..
New
السنة الجديدة السنة بي سي تجميعة احترافية رقم 1-A معالج i5-14400F الجيل الرابع عشر - RTX 3060 12GB
S.R 18,746
المواصفات الكاملة للعرض:• اللوحة الأم: GIGABYTE UD H610M H V2 DDR5 LGA 1700 • الوايفاي: DUAL BAND US..