تعد ذاكرة سامسونج DDR5 بسعة 8 جيجابايت وسرعة 5600MHz وحدة ذاكرة عالية الأداء مصممة لأجهزة اللابتوب الحديثة، وتوفر أداءً سريعًا ومستقرًا عند تشغيل التطبيقات المتعددة، الألعاب، والبرامج الاحترافية. تعتمد على تقنية DDR5 الحديثة لتقديم عرض نطاق ترددي أعلى، واستهلاك طاقة أقل، وتحسين استجابة النظام مقارنةً بوحدات DDR4 السابقة.
المميزات الرئيسية:
• سعة 8 جيجابايت لتعدد المهام وتشغيل التطبيقات بسلاسة
• تقنية DDR5 لأداء أسرع وكفاءة أعلى
• سرعة 5600MHz لتجربة استخدام سريعة واستجابة عالية
• جهد منخفض 1.1 فولت لتوفير الطاقة
• شرائح ذاكرة سامسونج موثوقة لضمان الاستقرار والمتانة
• متوافقة مع أجهزة اللابتوب الحديثة التي تدعم فتحات DDR5 SODIMM
المواصفات التقنية:
• الموديل: M425R1GB4BB0-CWM0L
• السعة: 8GB
• نوع الذاكرة: DDR5 SODIMM
• السرعة: 5600MHz
• الجهد: 1.1V
• شكل الوحدة: 260-pin SODIMM
• CAS Latency: CL38
• التوافق: أجهزة اللابتوب التي تدعم DDR5 SODIMM
• الشركة المصنعة: سامسونج
ذاكرة لابتوب من SAMSUNG, سعة 8GB DDR5, تردد 5600MHz, جهد منخفض 1.1 فولت, متوافقة مع أجهزة اللابتوب الحديثة التي تدعم فتحات DDR5 SODIMM
- النوع : M425R1GB4BB0-CWM0L
تعد ذاكرة سامسونج DDR5 بسعة 8 جيجابايت وسرعة 5600MHz وحدة ذاكرة عالية الأداء مصممة لأجهزة اللابتوب الحديثة، وتوفر أداءً سريعًا ومستقرًا عند تشغيل التطبيقات المتعددة، الألعاب، والبرامج الاحترافية. تعتمد على تقنية DDR5 الحديثة لتقديم عرض نطاق ترددي أعلى، واستهلاك طاقة أقل، وتحسين استجابة النظام مقارنةً بوحدات DDR4 السابقة.
المميزات الرئيسية:
• سعة 8 جيجابايت لتعدد المهام وتشغيل التطبيقات بسلاسة
• تقنية DDR5 لأداء أسرع وكفاءة أعلى
• سرعة 5600MHz لتجربة استخدام سريعة واستجابة عالية
• جهد منخفض 1.1 فولت لتوفير الطاقة
• شرائح ذاكرة سامسونج موثوقة لضمان الاستقرار والمتانة
• متوافقة مع أجهزة اللابتوب الحديثة التي تدعم فتحات DDR5 SODIMM
المواصفات التقنية:
• الموديل: M425R1GB4BB0-CWM0L
• السعة: 8GB
• نوع الذاكرة: DDR5 SODIMM
• السرعة: 5600MHz
• الجهد: 1.1V
• شكل الوحدة: 260-pin SODIMM
• CAS Latency: CL38
• التوافق: أجهزة اللابتوب التي تدعم DDR5 SODIMM
• الشركة المصنعة: سامسونج
| Computers | |
|---|---|
| CPU | AMD |
| Cores | 6 |
| Memory | 16 Gb,4 Gb |
- الشركة: SAMSUNG
- تم عرضها: 203
- حالة التوفر : متوفر
S.R 1,309
الكلمات الدليليلة :M425R1GB4BB0-CWM0Lذاكرة - رام
منتجات ذات صلة
New
وحدة تخزين داخلية Samsung 9100 PRO, سعة 4 تيرابايت, تصميم M.2 2280 NVMe, واجهة PCIe 5.0 ×4, سرعة القراءة حتى 14,800 مب/ثا, ذاكرة 3D TLC V-NAND, دعم برنامج Samsung Magician
S.R 10,871
تُعد Samsung 9100 PRO (رقم الموديل MZ-VAP4T0BW) وحدة تخزين فائقة الأداء من الجيل الجديد، تعتمد على و..
New
السنة الجديدة السنة بي سي تجميعة احترافية رقم 1-A معالج i5-14400F الجيل الرابع عشر - RTX 3060 12GB
S.R 18,746
المواصفات الكاملة للعرض:• اللوحة الأم: GIGABYTE UD H610M H V2 DDR5 LGA 1700 • الوايفاي: DUAL BAND US..